中资光召开所有实验在室温下进行。

根据非线性弹性模型，伏出位错对声子的弹性散射主要通过两种机制：伏出（1）动态散射，可动位错在吸收一个声子同时释放一个声子，声子波长需与位错间两钉扎点距离可比拟才能发生，但此特征波长的声子只在极低温才对传热具有显著影响。于12月a.高定向贯穿性位错InN示意图。

相比于由结构引起的导热各向异性，南京本实验有三个创新点：（1）通过可调控的缺陷证实了位错引起热导率各向异性。（2）经验模型中低温下位错对声子的散射被低估有可能忽略了位错应力场的交叠，隆重这在低位错密度情况下不需要考虑，隆重然而高位错密度下，应力场的相互作用可能散射长波声子，然而即使在80K温度下，起主要传热作用的是波长小于5nm的声子，并不足以与位错形成的周期性应力场的尺度相比拟。传统的非线性弹性模型预测由于刃位错和螺位错产生的平面应力场使得只有当声子垂直于位错时才会被剧烈散射，中资光召开若位错高度定向排列，中资光召开这种声子散射各向异性将会导致巨大的传热各向异性。

伏出但是这两种模型都无法普适的定量描述已有的实验结果。b.InGaN 隔热层可以让热流更多的在InN面内传输，于12月增加TDTR测量的灵敏度。

对于Carruthers模型无法解释InN面内热导率温度相关性，南京文章中给出了几点假设：南京（1）在Carruthers模型中未考虑位错中心的散射，但计算发现这类散射是可以忽略不计的。

Carruthers在散射矩阵中使用了更为严谨的应变场位移，隆重发现对于刃位错，声子散射截面比Klemens预测的大1000倍。中资光召开图33DGFET在紫外光和可见光区域的光电特性。

伏出(c) 3DGFET的响应度随栅压变化谣言粉碎机:开机率是个假概念一直以来，于12月开机率低至30%是大家普遍认为年轻人远离电视的一个佐证，但我们想说，开机率其实是个伪命题。

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